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HBM模式下静电放电试验介绍

2012-08-29 14:06:18 栏目:通讯专栏
核心导读
文章脉络/关键词: HBM静电放电测试、人体放电模式ESD、IC静电防护标准、MIL-STD-883G测试方法、半导体可靠性验证、ESDS敏感度分级
内容摘要: HBM人体放电模式是IC静电防护测试的核心标准,模拟人体静电对芯片的损害。本文详解MIL-STD-883G标准下的100pF/1.5KΩ等效电路、放电波形参数及完整试验流程,涵盖样品准备、测试步骤与三种故障判定方法,为半导体可靠性验证提供实操指南。
AI 深度解读
人体放电模式(HBM)自1980年代起成为半导体行业最基础的ESD测试基准,其设计源于对工厂作业人员日常静电积累场景的深度观察。该模型将人体等效为100pF电容与1.5KΩ电阻的串联网络,这一参数组合经过大量人体实测数据验证,能够复现90%以上的真实静电放电事件。在摩尔定律驱动下,先进制程器件的栅氧厚度已降至纳米级,HBM防护等级从早期的2000V逐步下探至250V甚至更低,使得测试精度与失效判定标准面临持续挑战。当前工业界普遍采用JEDEC JESD22-A114与军标MIL-STD-883G双轨并行体系,前者面向消费电子,后者覆盖高可靠领域。对于测试工程师而言,需特别注意PIN脚分类策略——电源/地/输入/输出的组合测试矩阵直接影响防护设计的全面性;而故障判定中相对I-V漂移法因能捕捉潜在损伤,正逐步取代简单的漏电流阈值法。建议企业在芯片设计阶段即导入HBM仿真,结合传输线脉冲(TLP)技术优化防护结构,避免流片后的 costly 改版。

    人体放电模式(Human-Body Model, HBM)产生的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其他因素在人体上已累积了静电,当此人去碰触到IC时,人体上的静电便会导入到所接触的设备中。HBM的ESD模型是建立最早和最主要的模拟静电测试模型,其模拟了当带电的人体接触或靠近静电敏感器件(ESDS)时,该元器件有可能被直接的静电放电或静电场损坏。

    根据工业标准 (MIL-STD-883G method 3015.7)要求,其中人体的等效电容定为100pF,人体的等效放电电阻定为1.5KΩ。

    人体模型(HBM)遵循的标准

    MIL-STD-833G Method 3015.7; EIA/JESD22-A114-C.01 (JEDEC, 1997)。

    HBM静电敏感度分级:

               

    HBM放电的原理框图如下图:

             

    HBM放电电流波形参数:

      
 
    Tri:脉冲上升时间小于10ns;Tdi:脉冲延迟时间150±20ns;IP:峰值电流

    HBM试验步骤:

    (1)准备好被测样品的规格书,内容要包括其PIN脚的定义图。一般分类有四种:电源,地,输入和输出四大类;

    (2)我们需要准备一个连接器,此连接器焊在PCB上,并从PCB上引出PIN用于插在测试仪器的PIN槽;

    (3)准备好需要的样品数;

    (4)准备好需要测试模块参数性能的仪器;

    HBM静电放电故障判断:

    静电敏感器件(ESDS)经ESD测试后,要判断是否已被破坏,以便决定是否要再经一部测试下去,但是如何判定该静电敏感器件(ESDS)已被ESD所损坏了呢?常见的有下述三种方法:

    (1)绝对漏电流:当静电敏感器件(ESDS)被ESD测试后,其I/O脚的漏电电流超过1uA(或10uA)。漏电电流会随所加的偏压大小增加而增加,在测漏电电流时所加的偏压有人用5.5V(VDD×1.1),也有人用7V(VDD×1.4)。

    (2)相对I-V漂移:当静电敏感器件(ESDS)被ESD测试后,自I/O脚看进入静电敏感器件(ESDS)内部的I-V特性曲线漂移量在30%(20%或40%)。

    (3)功能观测法:先把正常且符合规格值静电敏感器件(ESDS)的每一只脚依测试组合打上某一电压准位的ESD测试电压,再拿去测试是否符合原来的规格。

    摩尔实验室(MORLAB)在深圳,上海,成都等地均开展了此项测试业务,如有需要可联系就近的摩尔实验室相关人员。

    如需更多资料,请发信到以下地址:info_cd@morlab.cn或致电:028-85147866。

常见问题
Q: HBM测试中的100pF和1.5KΩ参数是如何确定的?
A: 这两个参数源于对人体静电特性的工程建模:100pF代表人体与大地之间的等效电容,1.5KΩ模拟人体皮肤及接触电阻。该组合经MIL-STD-883G标准化,能够产生上升时间小于10ns、延迟约150ns的典型放电波形,覆盖绝大多数真实人体静电放电场景。
Q: HBM静电敏感度分级有哪些等级,如何解读?
A: HBM敏感度通常按耐压值分为多个等级,如Class 0(
Q: HBM测试后如何判断IC是否已损坏?
A: 业界常用三种判定方法:(1)绝对漏电流法——I/O脚漏电流超过1μA或10μA阈值;(2)相对I-V漂移法——特性曲线漂移量达20%-40%;(3)功能观测法——对比ESD前后功能参数是否仍符合规格。建议组合使用多种方法以提高检出率。
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